Infineon annonce un prototype de MRAM 16 Mbits
DRESDE, Allemagne –
Infineon Technologies AG a présenté le 22 juin dernier le prototype d’une mémoire MRAM (RAM
magnétorésistante) de 16 Mbits, mais le fondeur allemand a reconnu qu’il faudrait encore attendre
avant que la technologie de mémoire non-volatile soit prête pour une production en volume.
La mémoire MRAM 16 Mbits présente des cycles de lecture et d’écriture de 30 à 40 nanosecondes
environ, ce qui lui permet de concurrencer les mémoires DRAM bien établies. Cette caractéristique
lui donnerait un avantage significatif sur les mémoires flash, tout comme une consommation moins
importante que les mémoires DRAM comparables.
Le prototype a été réalisé avec un procédé CMOS de 0,18 micron utilisé pour les puces logiques
standard, a indiqué Wilhelm Beinvogl, directeur technologique de la division mémoires d’Infineon.
Exploitant la technologie de jonction à tunnel magnétique, le dispositif communique via une
interface semblable à celle qui est utilisée pour les mémoires SRAM. Par rapport aux mémoires
MRAM multi-mégabits actuelles, celle d’Infineon offre la plus grande capacité. Dotée de trois
couches métalliques seulement, la puce est relativement facile à fabriquer, a ajouté M. Beinvogl.
La taille de la cellule n’est que de 1,42 µ². Avec une superficie totale de 79 mm², ce dispositif
est plus grand que les mémoires existantes offrant la même capacité. «Avant de lancer la
production commerciale, il nous reste pas mal de choses à faire afin de réduire la taille
physique de la cellule», a expliqué M. Beinvogl.
Infineon a démontré la fonctionnalité de son dispositif en utilisant une carte d’évaluation
réservée aux téléphones portables. Les mémoires flash et SRAM standard ont été remplacées sur la
carte par la nouvelle mémoire MRAM. L’écran de la carte affichait le rendement de la mémoire
MRAM sous la forme d’un logo Infineon animé.
Toujours selon M. Beinvogl, les applications pour cette technologie MRAM pourraient inclure des
ordinateurs individuels constamment sous tension qui ne devraient pas être réamorcés. Grâce à
leur tolérance aux températures élevées, les mémoires MRAM sont également susceptibles d’ouvrir
de nouvelles perspectives dans les secteurs automobile et industriel.
La prochaine phase de développement inclut le transfert de la conception vers un procédé au
0,13 micron. «Cela devrait survenir très rapidement», selon M. Beinvogl. Avant d’entamer la
production commerciale, Infineon souhaite réduire davantage la taille des structures du
dispositif. M. Beinvogl s’est refusé à communiquer un calendrier de production ou à préciser
quand un produit commercial serait disponible.
Infineon a développé sa technologie MRAM avec IBM. Cette technologie a ensuite été transférée
chez Altis Semiconductor, une coentreprise entre IBM Microelectronics et Infineon à
Corbeil-Essonnes (91). Le contrat avec IBM durera jusqu’à la fin 2006. Outre les technologies
MRAM et flash, Infineon travaille également sur une mémoire RAM ferroélectrique.
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Sources
– Article issu du site www.eetimes.fr par Christoph Hammerschmidt – EETimes Germany, le 23.06.2004
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